[发明专利]单晶硅板状体及其制造方法有效
| 申请号： | 201780041617.X | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN109477240B | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 正田勋;橘昇二 | 申请（专利权）人： | 株式会社德山 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/00 |
| 代理公司： | 11332 北京品源专利代理有限公司 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本山口*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于开发一种单晶硅，其即使在高的氧浓度的单晶硅板状体中实施设备制造工序所进行的800～1100℃下的加热处理，也能抑制寿命的减少，作为太阳电池、电源设备具有高性能。一种单晶硅板状体，其特征在于，在径向中心部中，晶体中的晶格间氧浓度为25～45ppma，且取代型碳浓度为0.5ppma以下，所述单晶硅板状体为从CZ法单晶硅锭的直体部上部切取这样的板状体，就所述径向中心部而言，在透射电子显微镜的20万倍的影像中，在主体内没有观察到氧析出物，并且将该单晶硅板状体在950℃下加热60分钟后，在所述20万倍的影像中，在主体内观察到氧析出物，就该氧析出物的形状而言，在200万倍的影像中观察到多面体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅板 状体 氧析出物 影像 径向中心 观察 透射电子显微镜 单晶硅 多面体结构 单晶硅锭 电源设备 加热处理 实施设备 制造工序 板状体 取代型 晶格 切取 直体 加热 制造 开发 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅板状体，其特征在于，在单晶硅板状体的径向中心部，晶体中的晶格间氧浓度为25～45ppma，且取代型碳浓度为0.5ppma以下，所述径向中心部是指，从所述单晶硅板状体的中心起在半径方向上20％以内的位置，/n就所述径向中心部而言，在透射电子显微镜的20万倍的影像中，在主体内没有观察到氧析出物，并且将所述单晶硅板状体在950℃下加热60分钟后，在所述20万倍的影像中，在主体内以数量密度为2×10
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社德山，未经株式会社德山许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780041617.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
