[发明专利]半导体存储元件、其他元件及其制造方法

摘要

提供一种使用宽度为100nm以下且高度为宽度的2倍以上的高纵横比的形状的存储体的半导体存储元件和其制造方法。一种半导体存储元件，具有在半导体基板(1)之上堆叠存储体(2)和导体(3)的层叠构造，存储体(2)的底面(12)与半导体基板(1)接触，存储体(2)的上表面(10)与导体(3)接触，存储体(2)的侧面(11)与隔壁(4)接触而被包围，存储体(2)的底面(12)的宽度是100nm以下，导体(3)与半导体基板(1)之间的最短的距离是存储体(2)的底面(12)的宽度的2倍以上，存储体(2)的侧面(11)的宽度在比底面(12)靠上的任何位置都与底面(12)的宽度相同而一定、或在底面(12)以外的比底面(12)靠上的位置最宽。

主权项

1.一种半导体存储元件，具有将半导体、存储体和导体堆叠的层叠构造，上述存储体是具有2个以上相互能够区分的稳定的状态、同时选择上述状态中的1个状态的物体，上述半导体存储元件的特征在于，上述存储体的相对的两面中的一面与上述半导体接触，另一面与上述导体接触，上述存储体的侧面不与上述两面平行，上述存储体的侧面与隔壁接触而被包围，上述存储体的与上述半导体平行的方向的截面在与上述半导体接触的面中面积最小，越远离上述半导体则面积相同或越大，上述截面的最小宽度是100nm以下，上述导体与上述半导体之间的最短的距离是上述截面的最小宽度的2倍以上。