[发明专利]非晶态金属热电子晶体管有效
| 申请号： | 201780042032.X | 申请日： | 2017-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN109564892B | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 肖恩·威廉·缪尔 | 申请（专利权）人： | 非结晶公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/02;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 北京鸿德海业知识产权代理有限公司 11412 | 代理人： | 王再芊 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 非晶多组分金属膜可以被用于改善电子装置(诸如电阻器、二极管和薄膜晶体管)的性能。具有共面发射极和基极电极的非晶态热电子晶体管(HET)提供优于现有垂直HET结构的电气特性和性能优点。所述晶体管的发射极和基极端子都形成在非晶态非线性电阻器的上晶体金属层中。发射极和基极彼此相邻并被间隙隔开。间隙的存在在晶体金属层与非晶态金属层之间引起双向福勒诺德海姆(Fowler‑Nordheim)隧穿和对称I‑V性能。同时，在相同层中形成所述发射极和基极端子通过减少图案化步骤的数量简化了HET制造过程。 | ||
| 搜索关键词： | 晶态 金属 热电子晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括：非导电衬底；所述非导电衬底上的非晶态金属层；所述非晶态金属层上的隧穿介电层；所述隧穿介电层上的第一电极和第二电极，第一电极和第二电极分别与所述非晶态金属层重叠；第一和第二电极上的第二介电层；第二介电层上的第三电极，第三电极与第二电极和所述非晶态金属层重叠，第一和第二电极在第三电极和所述非晶态金属层之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
