[发明专利]SOI平台上的量子限制斯塔克效应电吸收调制器有效
| 申请号： | 201780042308.4 | 申请日： | 2017-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN109791314B | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 余国民 | 申请（专利权）人： | 洛克利光子有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/017 | 分类号： | G02F1/017 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 俞华梁;闫小龙 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 电吸收调制器。调制器包括SOI波导；有源区，所述有源区包括多量子阱（MQW）区；以及耦合器，用于将SOI波导耦合到有源区。耦合器包括：过渡波导耦合区；缓冲波导耦合区；以及锥形区；其中，过渡波导耦合区耦合SOI波导与缓冲波导耦合区之间的光；以及缓冲波导耦合区经由锥形区耦合过渡波导区与有源区之间的光。 | ||
| 搜索关键词： | soi 平台 量子 限制 斯塔克效应 吸收 调制器 | ||
【主权项】：
1.一种电吸收调制器，包括：SOI波导；有源区，所述有源区包括多量子阱（MQW）区；以及耦合器，用于将所述SOI波导耦合到所述有源区；所述耦合器包括：过渡波导耦合区；缓冲波导耦合区；以及锥形区；其中，所述过渡波导耦合区耦合所述SOI波导与所述缓冲波导耦合区之间的光；以及所述缓冲波导耦合区经由所述锥形区耦合所述过渡波导区与所述有源区之间的光。
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