[发明专利]基于异质结构的集成光子装置、方法和应用在审
| 申请号： | 201780042709.X | 申请日： | 2017-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN109478764A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | J·齐利斯;S·法特波尔 | 申请（专利权）人： | 佛罗里达中央大学研究基金会 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/22 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 李琳 |
| 地址： | 美国佛*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种集成光子结构和一种制造方法，其包含：衬底，其具有至少一个安置在其中的开口；半导体堆叠，其安置在所述衬底上方，所述半导体堆叠至少部分通过所述至少一个开口与所述底层衬底隔离，以界定悬置半导体膜；以及第一掺杂区和第二掺杂区，其位于所述悬置半导体膜内，其中所述第一掺杂区通过安置在其中的光学活性区与所述第二掺杂区横向分隔开，所述光学活性区界定所述集成光子结构的波导区。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂区 集成光子 衬底 半导体堆叠 光学活性区 半导体膜 界定 悬置 安置 开口 横向分隔 异质结构 应用提供 波导区 隔离 制造 | ||
【主权项】：
1.一种集成光子结构，其包括：衬底，其具有至少一个安置在其中的开口；半导体堆叠，其安置在所述衬底上方，所述半导体堆叠至少部分通过所述至少一个开口与所述衬底隔离，以界定悬置半导体膜；以及第一掺杂区和第二掺杂区，其位于所述悬置半导体膜内，其中所述第一掺杂区通过安置在其中的光学活性层与所述第二掺杂区横向分隔开，所述光学活性层界定所述集成光子结构的波导区。
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