[发明专利]集成结构以及其制造方法有效
| 申请号： | 201780042757.9 | 申请日： | 2017-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN109477936B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | A.齐尔基;A.里克曼;D.勒罗斯 | 申请（专利权）人： | 洛克利光子有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/43;G02B6/13;G02B6/122;H01L21/762;H01S5/026;H01L25/16;H01S5/343;G02B6/132;G02B6/134;H01L27/12;G02B6/42;G02B6/136 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李湘;刘春元 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于使用具有CMOS线和光子线的制造系统制造集成结构的方法，包括以下步骤：在所述光子线中，在硅晶片中制造第一光子部件；将所述晶片从所述光子线转移到所述CMOS线；以及在所述CMOS线中，在所述硅晶片中制造CMOS部件。另外，一种单片集成结构包括其中形成有波导和CMOS部件的硅晶片，其中所述波导结构包括远离所述硅晶片的上表面而延伸的隆脊。还提供一种单片集成结构，所述单片集成结构具有形成于其中的光子部件和CMOS部件，所述光子部件包括宽度为0.5μm至13μm的波导。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种使用具有CMOS线和光子线的制造系统制造集成结构的方法，所述方法包括以下步骤：在所述光子线中，在硅晶片中制造第一光子部件；将所述晶片从所述光子线转移到所述CMOS线；以及在所述CMOS线中，在所述硅晶片中制造CMOS部件。
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