[发明专利]用于减小的泄漏电流和提高的去耦电容的标准单元架构

摘要

标准单元IC可以包括多个pMOS晶体管，每个pMOS晶体管包括pMOS晶体管漏极、pMOS晶体管源极和pMOS晶体管栅极。多个pMOS晶体管中的每个pMOS晶体管漏极和pMOS晶体管源极可以耦接到第一电压源。标准单元IC还可以包括多个nMOS晶体管，每个nMOS晶体管包括nMOS晶体管漏极、nMOS晶体管源极和nMOS晶体管栅极。多个nMOS晶体管中的每个nMOS晶体管漏极和nMOS晶体管源极耦接到比第一电压源低的第二电压源。

主权项

1.一种标准单元集成电路(IC)，包括：多个p型金属氧化物半导体(MOS)(pMOS)晶体管，所述多个pMOS晶体管中的每个pMOS晶体管具有pMOS晶体管漏极、pMOS晶体管源极和pMOS晶体管栅极，所述多个pMOS晶体管中的每个pMOS晶体管漏极和pMOS晶体管源极耦接到第一电压源，所述多个pMOS晶体管中的每个pMOS晶体管栅极由多个pMOS栅极互连中的pMOS栅极互连形成，所述pMOS栅极互连中的每一个在第一方向上延伸、并且耦接到所述第一电压源；以及多个n型MOS(nMOS)晶体管，所述多个nMOS晶体管中的每个nMOS晶体管具有nMOS晶体管漏极、nMOS晶体管源极和nMOS晶体管栅极，所述多个nMOS晶体管中的每个nMOS晶体管漏极和nMOS晶体管源极耦接到比所述第一电压源低的第二电压源，所述多个nMOS晶体管中的每个nMOS晶体管栅极由多个nMOS栅极互连中的nMOS栅极互连形成，所述nMOS栅极互连中的每一个在所述第一方向上延伸、并且耦接到所述第二电压源。