[发明专利]硅光子学中的III-V芯片制备和集成有效
| 申请号： | 201780043053.3 | 申请日： | 2017-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN109417266B | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 达米安·兰贝特 | 申请（专利权）人： | 斯考皮欧技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 林祥 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 通过将III‑V晶片固定到转移晶片来制造复合半导体激光器。去除III‑V晶片的衬底，并且将该III‑V晶片刻蚀成多个芯片，同时将该III‑V晶片固定到转移晶片。将该转移晶片单片化。该转移晶片的一部分用作手柄，用于将芯片键合在硅器件的凹槽中。该芯片用作半导体激光器的增益介质。 | ||
| 搜索关键词： | 光子 中的 iii 芯片 制备 集成 | ||
【主权项】：
1.一种通过将增益芯片键合到硅器件来制造复合半导体激光器的方法，所述方法包括：将粘合剂施加到转移衬底上，以形成转移晶片；通过使器件晶片与所述粘合剂接触，将所述器件晶片固定到所述转移晶片上；在将所述器件晶片固定到所述转移晶片上之后，去除所述器件晶片的一部分；在所述器件晶片中刻蚀沟槽以形成多个芯片，其中在去除所述器件晶片的一部分之后进行刻蚀沟槽；在所述转移衬底中刻蚀沟槽以单片化芯片单元，其中所述芯片单元包括：所述多个芯片中的一个芯片，和所述转移晶片的一部分；在单片化所述芯片单元之后将所述芯片与目标器件对准，其中所述转移晶片的一部分用作手柄以使所述芯片与所述目标器件对准；将所述芯片键合到所述目标器件上；以及去除所述粘合剂的一部分以将所述转移晶片的一部分与所述芯片断开。
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