[发明专利]CMOS像素、图像传感器、摄像机和用于读取CMOS像素的方法有效
申请号: | 201780043178.6 | 申请日: | 2017-07-10 |
公开(公告)号: | CN109479105B | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | S·弗里茨 | 申请(专利权)人: | 罗伯特·博世有限公司 |
主分类号: | H04N5/3745 | 分类号: | H04N5/3745;H04N5/355 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 郭毅 |
地址: | 德国斯*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种CMOS像素,该CMOS像素具有双转换增益读取电路,该双转换增益读取电路具有至少一个第一光电二极管(PD1)、扩散区域(FD),该扩散区域具有第一电容(CFD),该第一电容用于接收至少一个第一光电二极管(PD1)的电荷,其中,该双转换增益读取电路构造用于借助第一增益因子并且借助第二增益因子来读取扩散区域(FD)的电荷,其中,CMOS像素具有至少一个第二光电二极管(PD2),其中,该扩散区域(FD)还构造用于接收至少一个第二光电二极管(PD2)的电荷,并且该双转换增益读取电路构造用于借助至少一个第三增益因子和至少一个第四增益因子来读取扩散区域(FD)的电荷。 | ||
搜索关键词: | cmos 像素 图像传感器 摄像机 用于 读取 方法 | ||
【主权项】:
1.一种CMOS像素,所述CMOS像素具有双转换增益读取电路,所述双转换增益读取电路具有至少一个第一光电二极管(PD1)和扩散区域(FD),所述扩散区域具有第一电容(CFD),所述第一电容用于接收所述至少一个第一光电二极管(PD1)的电荷,其中,所述双转换增益读取电路构造用于借助第一增益因子并且借助第二增益因子读取所述扩散区域(FD)的电荷,其特征在于,所述CMOS像素具有至少一个第二光电二极管(PD2),其中,所述扩散区域(FD)还构造用于接收所述至少一个第二光电二极管(PD2)的电荷,并且所述双转换增益读取电路构造用于借助至少一个第三增益因子和至少一个第四增益因子来读取所述扩散区域(FD)的电荷。
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