[发明专利]模式转换器及其制造方法有效
| 申请号： | 201780043323.0 | 申请日： | 2017-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN109642985B | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | J.德拉克;D.勒罗斯;H.尼克南 | 申请（专利权）人： | 洛克利光子有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/14;H01L21/84;H01L21/762;G02B6/136;G02B6/12;G02B6/30;G02B6/42;H01S5/02;G02B6/13 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 俞华梁;陈岚 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本案提供一种光学模式转换器和由包括双绝缘体上硅层结构的晶片制造所述光学模式转换器的方法。所述方法包括：在DSOI层结构的装置层的部分上提供第一掩膜；向下蚀刻装置层的未遮掩部分至至少上掩埋氧化物层，由此提供腔；蚀刻第一隔离沟槽和第二隔离沟槽至模式转换器层，所述模式转换器层：在上掩埋氧化物层相对于装置层的相对侧上并且介于上掩埋氧化物层与下掩埋氧化物层之间，下掩埋氧化物层在衬底上方；其中第一隔离沟槽和第二隔离沟槽限定锥形波导；用绝缘材料填充第一隔离沟槽和第二隔离沟槽，由此光学隔离锥形波导与剩余的模式转换器层；和再生长装置层的所蚀刻区域。 | ||
| 搜索关键词： | 模式 转换器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种由包括双绝缘体上硅(DSOI)层结构的晶片制造光学模式转换器的方法，包括以下步骤：在所述DSOI层结构的装置层的部分上提供第一掩膜；向下蚀刻所述装置层的未遮掩部分至至少上掩埋氧化物层，由此提供腔；蚀刻第一隔离沟槽和第二隔离沟槽至模式转换器层，所述模式转换器层：在所述上掩埋氧化物层相对于所述装置层的相对侧上并且介于所述上掩埋氧化物层与下掩埋氧化物层之间，所述下掩埋氧化物层在衬底上方；其中所述第一隔离沟槽和所述第二隔离沟槽限定锥形波导；用绝缘材料填充所述第一隔离沟槽和所述第二隔离沟槽，由此光学隔离所述锥形波导与剩余的模式转换器层；和再生长所述装置层的所述所蚀刻区域。
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