[发明专利]具有带掺杂磁性层的磁性约瑟夫森结器件的存储器单元有效
| 申请号： | 201780044204.7 | 申请日： | 2017-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN109478590B | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | T·F·安布罗斯 | 申请（专利权）人： | 微软技术许可有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L39/22 | 分类号： | H01L39/22;G11C11/44;H01L43/08;H01L43/10 |
| 代理公司： | 北京世辉律师事务所 16093 | 代理人： | 李峥宇 |
| 地址： | 美国华*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了包括磁性约瑟夫森结(MJJ)器件的存储器单元。MJJ器件(300)包括：自由磁性层(310)、非磁性层(320)和固定磁性层(312)。自由磁性层包括磁性合金，例如掺杂有钒、锆、钼或铪中的至少一个的镍铁。固定磁性层包括第二磁性合金，该第二磁性合金未被掺杂、或者具有比自由磁性层更低的掺杂量。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 掺杂 磁性 约瑟夫 器件 存储器 单元 | ||
【主权项】：
1.一种存储器单元，包括：磁性约瑟夫森结(MJJ)器件，所述磁性约瑟夫森结器件至少包括：第一层，所述第一层被形成在第二层上方；第三层，所述第三层被形成在所述第二层下方，其中所述第一层是自由磁性层，所述第二层是非磁性层，其中所述第三层是固定磁性层，其中所述自由磁性层包括掺杂有以下各项中的至少一项的磁性合金：钒、锆、钼或铪，并且其中所述固定磁性层包括未掺杂的第二磁性合金。
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