[发明专利]利用等离子体原子层沉积法的氮化硅薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201780044836.3 | 申请日： | 2017-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN109478497A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 张世珍;李相道;朴重进;金成基;杨炳日;朴建柱;朴廷主;昔壮炫;李相益;金铭云 | 申请（专利权）人： | DNF有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/321;C09K8/12 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;金明花 |
| 地址： | 韩国大*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及利用等离子体原子层沉积法的高纯度氮化硅薄膜的制备方法。更详细地，在本发明中，可通过实施2个步骤的等离子体激发步骤来实现提高了的薄膜效率及阶梯覆盖，即使在低温的成膜温度下也能够以提高了的沉积率提供高纯度的氮化硅薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化硅薄膜 等离子体原子层沉积 高纯度 制备 等离子体激发 阶梯覆盖 沉积率 成膜 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种基于等离子体增强原子层沉积的氮化硅薄膜的制备方法，其特征在于，实施至少一次单位循环，上述单位循环包括：在基板上吸附包含硅氮键的有机硅前体的步骤；以及通过注入第一反应气体并激发第一等离子体后注入第二反应气体并激发第二等离子体来提供1个以上的反应位点的步骤。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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