[发明专利]用于功率转换装置的栅极驱动电路有效

专利信息
申请号: 201780045108.4 申请日: 2017-07-20
公开(公告)号: CN109690951B 公开(公告)日: 2023-09-12
发明(设计)人: 卢俊诚;H.白 申请(专利权)人: 黑拉有限责任两合公司
主分类号: H03K17/16 分类号: H03K17/16;H02M1/08
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 张凌苗;闫小龙
地址: 德国利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种装置包括栅极驱动电路和GaN HEMT开关,其中栅极驱动电路具有栅极驱动输出以响应于栅极控制信号产生栅极驱动信号。所述开关具有通过栅极驱动电阻器被连接到栅极驱动电路的栅极。所述栅极驱动电路包括NPN(或NMOS)接通晶体管和PNP(或PMOS)关断晶体管。所述栅极驱动电路包括被耦合到接通晶体管的、具有第一电阻的接通电阻器和被耦合到关断晶体管的、具有第二电阻的关断电阻器。所述接通和关断晶体管、栅极驱动电阻器、开关器件,但不是接通和关断电阻器被布置在集成电路中以减少栅极驱动环路电感。所述第一和第二电阻可以是不同的,以调整所述开关器件的接通和关断速度。
搜索关键词: 用于 功率 转换 装置 栅极 驱动 电路
【主权项】:
1.一种装置,包括:栅极驱动电路,其具有被配置为响应于在其输入上的栅极控制信号在栅极驱动输出上产生栅极驱动信号的至少一个所述栅极驱动输出;宽带隙(WBG)开关器件,其具有栅极、漏极和源极,其中所述WBG开关器件的所述栅极通过栅极驱动电阻器电连接到所述栅极驱动电路,所述漏极和所述源极被配置为电耦合到负载;其中,所述栅极驱动电路包括推挽式晶体管电路,所述推挽式晶体管电路包括从(i)双极结型晶体管(BJT)的对和(ii)CMOS栅极驱动场效应晶体管的对之一选择的至少接通晶体管和关断晶体管,所述栅极驱动电路还包括被耦合到所述接通晶体管的、具有第一电阻的接通电阻器和被耦合到所述关断晶体管的、具有第二电阻的关断电阻器。
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