[发明专利]用于半导体应用的高纯度乙二胺在审
| 申请号： | 201780045134.7 | 申请日： | 2017-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN109476582A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | H·斯里单达姆;S·H·迪默克;S·G·马约加;R·M·皮尔斯坦 | 申请（专利权）人： | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
| 主分类号： | C07C211/10 | 分类号： | C07C211/10;C07C209/84 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴亦华;徐志明 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了乙二胺(EDA)组合物和用于制备适用于薄膜半导体加工应用的EDA的方法。EDA经纯化以除去水和痕量金属。通过使液体通过在填充床中的3A型分子筛来实现低于约50重量ppm的水含量。通过蒸馏除去金属杂质，并将所得产物包装在特别地干燥的和任选地预调理的容器中。 | ||
| 搜索关键词： | 乙二胺 薄膜半导体 产物包装 痕量金属 加工应用 金属杂质 液体通过 蒸馏 高纯度 填充床 调理 制备 半导体 应用 | ||
【主权项】：
1.乙二胺，其中所述乙二胺为大于约99.9重量％纯的，且含有少于约50ppm的水和少于约100ppb的痕量金属。
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