[发明专利]在碳化硅基底中具有深植入P型层的氮化镓高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 201780045145.5 | 申请日： | 2017-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN109564940A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 萨普撒里希·斯里拉姆;亚历山大·苏沃罗夫;克里斯特·哈林 | 申请（专利权）人： | 克利公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/207;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 张英;沈敬亭 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开涉及高电子迁移率晶体管，其包括SiC基底层、设置在SiC基底层上的GaN缓冲层，以及具有与在其上提供GaN缓冲层的SiC基底层的表面平行的长度的p型材料层。在下列中的一个中提供p型材料层：SiC基底层和布置在SiC基底层上的第一层。还公开了制造高电子迁移率晶体管的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 高电子迁移率晶体管 氮化镓高电子迁移率晶体管 表面平行 碳化硅基 第一层 植入 制造 | ||
【主权项】：
1.一种高电子迁移率晶体管，包括：SiC基底层；布置在所述SiC基底层上的GaN缓冲层；和具有与在其上提供所述GaN缓冲层的所述SiC基底层的表面平行的长度的p型材料层，其中在下列中的一个中提供所述p型材料层：所述SiC基底层和布置在所述SiC基底层上的第一层。
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