[发明专利]测量目标的方法、衬底、量测设备以及光刻设备在审
| 申请号： | 201780045203.4 | 申请日： | 2017-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN109564391A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | E·E·沐恩;A·J·登鲍埃夫 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张启程 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 披露了一种测量目标的方法、一种相关联的衬底、一种量测设备和一种光刻设备。在一种布置中，所述目标包括分层结构。所述分层结构具有在第一层中的第一目标结构和在第二层中的第二目标结构。所述方法包括利用测量辐射照射所述目标。检测由多个预定衍射阶之间的干涉所形成的散射辐射。所述预定衍射阶由所述测量辐射从所述第一目标结构的衍射产生且随后从所述第二目标结构衍射。使用由所述预定衍射阶之间的所述干涉所形成的已检测到的散射辐射来计算光刻过程的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 衍射 目标结构 测量 分层结构 光刻设备 量测设备 散射辐射 衬底 光刻过程 第一层 辐射 干涉 检测 照射 关联 | ||
【主权项】：
1.一种测量由光刻过程形成的目标的方法，所述目标包括分层结构，所述分层结构具有在第一层中的第一目标结构和在第二层中的第二目标结构，所述方法包括：利用测量辐射照射所述目标；检测由多个预定衍射阶之间的干涉所形成的散射辐射，其中所述预定衍射阶由所述测量辐射从所述第一目标结构的衍射产生且随后从所述第二目标结构衍射；和使用由所述预定衍射阶之间的所述干涉所形成的已检测到的散射辐射来计算所述光刻过程的特性。
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