[发明专利]用于分配气体的装置和用于处理基板的装置有效
申请号: | 201780045233.5 | 申请日: | 2017-07-14 |
公开(公告)号: | CN109478498B | 公开(公告)日: | 2023-07-04 |
发明(设计)人: | 尹镐彬;辛昇澈;刘真赫;赵炳夏 | 申请(专利权)人: | 周星工程股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/683;H05H1/46;H01L21/687;H01L21/67 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 李琳;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及用于基板处理设备的气体喷雾器及基板处理设备,其包括:等离子体产生部,用于产生等离子体,以便在由基板支撑部支撑的基板上执行处理工艺;接地体,接地体与等离子体产生部耦接;以及等离子体屏蔽部,用于屏蔽由等离子体产生部产生的等离子体,其中,等离子体产生部包括:第一电极,用于产生等离子体;以及第二电极,第二电极在与第一电极间隔开的位置处耦接至接地体,以便在第二电极和第一电极之间的空间中形成用于喷射工艺气体的气体喷射空间,并且其中,等离子体屏蔽部从基板的内部和/或外部屏蔽由等离子体产生部产生的等离子体。 | ||
搜索关键词: | 用于 分配 气体 装置 处理 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,包括:处理室;基板支撑单元,所述基板支撑单元安装在所述处理室中以支撑多个基板,所述基板支撑单元围绕转轴旋转;室盖,所述室盖覆盖所述处理室的上部;等离子体发生器,所述等离子体发生器朝向所述基板支撑单元产生等离子体;以及等离子体屏蔽器,所述等离子体屏蔽器在所述基板的顶部和所述基板的底部中的至少一个中屏蔽由所述等离子体发生器产生的所述等离子体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造