[发明专利]R－T－B系烧结磁体有效
| 申请号： | 201780045364.3 | 申请日： | 2017-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN109478452B | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 国吉太 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | H01F1/057 | 分类号： | H01F1/057;C22C38/00;H01F41/02;B22F3/00;B22F3/02;B22F3/24 |
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| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的R－T－B系烧结磁体为包含主相晶粒和晶界相的R－T－B系烧结磁体，含有R：27.5质量％以上35.0质量％以下(R为稀土元素中的至少一种，必须含有Nd和Pr)、B：0.80质量％以上1.05质量％以下、Ga：0.05质量％以上1.0质量％以下、M：0质量％以上2质量％以下(M为Cu、Al、Nb、Zr的至少一种)、剩余部分T(T为Fe或Fe和Co)以及杂质。位于距磁体表面300μm的深度的上述主相晶粒的中央部中的Pr的浓度相对于Nd的浓度的比率Pr/Nd低于1，位于距磁体表面300μm的深度的二晶粒晶界内的Pr的浓度相对于Nd的浓度的比率Pr/Nd高于1，烧结磁体包含随着从磁体表面向磁体内部去Ga浓度逐渐减低的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结 磁体 | ||
【主权项】：
1.一种R－T－B系烧结磁体，其为包含主相晶粒和晶界相的R－T－B系烧结磁体，其特征在于，含有：R：27.5质量％以上35.0质量％以下、B：0.80质量％以上1.05质量％以下、Ga：0.05质量％以上1.0质量％以下、M：0质量％以上2质量％以下、剩余部分T和杂质，其中，R为稀土元素中的至少一种且必须含有Nd和Pr，M为Cu、Al、Nb、Zr的至少一种，T为Fe或Fe和Co，位于距磁体表面300μm的深度的所述主相晶粒的中央部中Pr的浓度相对于Nd的浓度的比率Pr/Nd低于1，位于距磁体表面300μm的深度的二晶粒晶界内的Pr的浓度相对于Nd的浓度的比率Pr/Nd高于1，所述R－T－B系烧结磁体包含随着从所述磁体表面向磁体内部去Ga浓度逐渐减低的部分。
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