[发明专利]R-T-B系烧结磁体的制造方法有效
申请号: | 201780045654.8 | 申请日: | 2017-09-26 |
公开(公告)号: | CN109564819B | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 国吉太;三野修嗣 | 申请(专利权)人: | 日立金属株式会社 |
主分类号: | H01F41/02 | 分类号: | H01F41/02;B22F3/24;C21D6/00;C22C28/00;C22C30/00;C22C38/00;H01F1/057;B22F1/00;B22F3/00;B22F7/02 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的R-T-B系烧结磁体的制造方法包括:在R-T-B系烧结磁体原材料表面的涂布区域涂布粘合剂的涂布工序;使由作为Dy和Tb中的至少一种的Pr-Ga合金的合金或化合物的粉末形成的粒度调整粉末附着于R-T-B系烧结磁体原材料表面的涂布区域的附着工序;和以R-T-B系烧结磁体原材料的烧结温度以下的温度进行热处理而使粒度调整粉末所含的Pr-Ga合金从R-T-B系烧结磁体原材料的表面向内部扩散的扩散工序。设定粒度调整粉末的粒度,使得将构成粒度调整粉末的粉末颗粒配置于R-T-B系烧结磁体原材料的全部表面而形成1层以上3层以下的颗粒层时,粒度调整粉末所含的Ga量相对于上述R-T-B系烧结磁体原材料以质量比计为0.10~1.0%的范围内。 | ||
搜索关键词: | 烧结 磁体 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种R-T-B系烧结磁体的制造方法,其特征在于,包括:准备R-T-B系烧结磁体原材料的工序,其中,R为稀土元素,T为Fe或Fe和Co;准备由Pr-Ga合金的粉末形成的粒度调整粉末的工序,其中,Pr为Pr-Ga合金整体的65~97质量%,能够用Nd置换Pr的20质量%以下,能够用Dy和/或Tb置换Pr的30质量%以下,Ga为Pr-Ga合金整体的3质量%~35质量%,能够用Cu置换Ga的50质量%以下,Pr-Ga合金含有或不含不可避免的杂质;在所述R-T-B系烧结磁体原材料的表面的涂布区域涂布粘合剂的涂布工序;使所述粒度调整粉末附着于涂布有所述粘合剂的R-T-B系烧结磁体原材料的表面的所述涂布区域的附着工序;和以所述R-T-B系烧结磁体原材料的烧结温度以下的温度对附着有所述粒度调整粉末的R-T-B系烧结磁体原材料进行热处理的热处理工序,所述附着工序是在所述R-T-B系烧结磁体原材料的表面附着1层以上3层以下的所述粒度调整粉末的工序,并使附着于所述R-T-B系烧结磁体原材料的所述表面的所述粒度调整粉末所含的Ga的量相对于所述R-T-B系烧结磁体原材料以质量比计处于0.10~1.0%的范围内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立金属株式会社,未经日立金属株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201780045654.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:磁场控制系统
- 下一篇:具有断开保险功能的电气连接装置