[发明专利]用于形成用以图案化衬底的结构的方法、图案化衬底的方法以及形成掩膜的方法

摘要

一种用于形成用以图案化衬底的结构的方法、图案化衬底的方法以及形成掩膜的方法，该用于形成用以图案化衬底的结构的方法可包含：在安置于衬底上的掩模中提供初始掩模特征，初始掩模特征包括第一材料，衬底限定衬底平面；将离子作为离子束相对于衬底平面的垂线以非零入射角θ引导到初始掩模特征，其中形成复合掩模特征，复合掩模特征包括安置在初始掩模特征上的帽材料，帽材料包括离子；以及执行衬底蚀刻，其中在衬底中形成蚀刻特征，其中初始掩模特征的至少一部分在衬底蚀刻之后仍保留，其中衬底蚀刻以第一蚀刻速率蚀刻第一材料且以第二蚀刻速率蚀刻帽材料，第一蚀刻速率大于第二蚀刻速率。

主权项

1.一种方法，其包括：在安置于衬底上的掩模中提供初始掩模特征，所述初始掩模特征包括第一材料，所述衬底限定衬底平面；将离子作为离子束相对于所述衬底平面的垂线以非零入射角θ引导到所述初始掩模特征，其中形成复合掩模特征，所述复合掩模特征包括安置在所述初始掩模特征上的帽材料，所述帽材料包括所述离子；以及执行衬底蚀刻，其中在所述衬底中形成蚀刻特征，其中所述初始掩模特征的至少一部分在所述衬底蚀刻之后仍保留，其中所述衬底以第一蚀刻速率蚀刻所述第一材料且以第二蚀刻速率蚀刻所述帽材料，所述第一蚀刻速率大于所述第二蚀刻速率。