[发明专利]用于监测代谢活动的系统和方法及用于检测光子的检测器在审
申请号: | 201780045731.X | 申请日: | 2017-07-27 |
公开(公告)号: | CN109475339A | 公开(公告)日: | 2019-03-15 |
发明(设计)人: | 莫赫塔尔·切米萨尼·拉德;马歇尔·科尔斯坦 | 申请(专利权)人: | 阿尔特斯物理能源研究所 |
主分类号: | A61B6/03 | 分类号: | A61B6/03;A61B6/00;G01T1/00 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;洪欣 |
地址: | 西班牙*** | 国省代码: | 西班牙;ES |
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摘要: | 公开了用于监测代谢活动的系统和方法及用于检测光子的检测器的实例。所述方法可包括在前和后检测器中检测光子以确定康普顿锥。该康普顿锥可与另外的康普顿锥或响应线计算组合以确定核衰变原点。在所述系统和方法的实例中,可实现核衰变的基本上的实时可视化。 | ||
搜索关键词: | 检测器 光子 代谢活动 核衰变 检测 原点 可视化 线计算 监测 响应 | ||
【主权项】:
1.用于检测光子的检测器,其包括:多个形成前检测器和后检测器的检测器模块,所述检测器模块包括多个检测器装置以及交界部,所述检测器装置具有从前端延伸至后端的基板,并且承载多个像素化半导体检测器板,并且被布置为所述前端比所述后端更靠近所述光子的来源,所述半导体检测器板被布置在读出电路上,并且所述检测器装置在所述基板的后端处或附近具有输入/输出元件,其中经布置靠近所述基板前端的所述半导体检测器板中的一个或多个的前组件由被配置用于促进光子散射的半导体材料制成,并形成所述前检测器,其中经布置比所述前组件更靠近所述基板后端的所述半导体检测器板中的一个或多个的后组件由被配置用于促进光子吸收的半导体材料制成,并形成所述后检测器。
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