[发明专利]氮化物半导体元件及其制造方法与所应用的封装结构在审
| 申请号： | 201780045923.0 | 申请日： | 2017-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN109863609A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 林宏诚;陈宗源 | 申请（专利权）人： | 亿光电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种氮化物半导体元件(100)，其包括P型氮化物半导体(101)、N型氮化物半导体(102)、氮化物半导体量子井发光结构(103)、基板(104)以及缓冲层(105)。氮化物半导体量子井发光结构(103)位于P型氮化物半导体(101)以及N型氮化物半导体(102)之间，且包括多个井层(103A)以及多个阻挡层(103B)。各个井层(103A)以及各个阻挡层(103B)彼此交错配置。多个阻挡层(103B)包括配置于最接近P型氮化物半导体位置(101)的第一阻挡层(103B1)、配置于最接近N型氮化物半导体(102)位置的第二阻挡层(103B2)以及多个第三阻挡层(103B3)。第一阻挡层(103B1)的厚度小于100埃。各个第三阻挡层(103B1)位于相邻的两个井层(103A)之间。缓冲层(105)位于N型氮化物半导体(102)以及基板(104)之间。 | ||
| 搜索关键词： | 阻挡层 井层 氮化物半导体元件 氮化物半导体 发光结构 缓冲层 量子井 基板 封装结构 交错配置 配置 应用 制造 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
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