[发明专利]光检测装置

摘要

光检测装置包括：半导体基板；具有配置于半导体基板的第一主面侧的受光区域且在半导体基板二维排列的多个雪崩光电二极管；以及与对应的受光区域电连接的贯通电极。贯通电极配置于在多个雪崩光电二极管被二维排列的区域内贯通半导体基板的贯通孔。在半导体基板的第一主面侧，包围贯通孔的槽形成于贯通孔和与贯通孔相邻的受光区域之间的区域。槽的边缘与被槽包围的贯通孔的边缘的第一距离比槽的边缘与和被槽包围的贯通孔相邻的受光区域的边缘的第二距离长。

主权项

1.一种光检测装置，其特征在于：包括：具有彼此相对的第一主面以及第二主面的半导体基板；具有配置于所述半导体基板的所述第一主面侧的受光区域且在所述半导体基板二维排列，并且在盖格模式下工作的多个雪崩光电二极管；以及与对应的所述受光区域电连接的贯通电极，所述贯通电极配置于在所述多个雪崩光电二极管被二维排列的区域内沿着厚度方向贯通所述半导体基板的贯通孔，在所述半导体基板的所述第一主面侧，包围所述贯通孔的槽形成于所述贯通孔和与所述贯通孔相邻的所述受光区域之间的区域，所述槽的边缘与被所述槽所包围的所述贯通孔的边缘的第一距离比所述槽的边缘与和被所述槽所包围的所述贯通孔相邻的所述受光区域的边缘的第二距离长。