[发明专利]图案倒塌恢复方法、基板处理方法以及基板处理装置有效
| 申请号： | 201780046195.5 | 申请日： | 2017-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN109496346B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 尾辻正幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 向勇;宋晓宝 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种图案倒塌恢复方法，是使形成于基板的表面的已倒塌的图案恢复的方法，所述图案倒塌恢复方法包括反应气体供给工序，在所述反应气体供给工序中，向所述基板的所述表面供给能够与夹杂于所述表面的生成物发生反应的反应气体。所述反应气体供给工序包括氟化氢蒸气供给工序，在所述氟化氢蒸气供给工序中，向所述基板的所述表面供给包含氟化氢的蒸气。所述图案倒塌恢复方法还包括基板加热工序，所述基板加热工序与所述氟化氢蒸气供给工序并行进行，用于加热所述基板。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 倒塌 恢复 方法 处理 以及 装置 | ||
【主权项】：
1.一种图案倒塌恢复方法，为使形成于基板的表面的已倒塌的图案恢复的方法，所述图案倒塌恢复方法包括反应气体供给工序，在所述反应气体供给工序中，向所述基板的所述表面供给能够与夹杂于所述表面的生成物发生反应的反应气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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