[发明专利]气体阻隔性膜、使用它的气体阻隔性膜材和使用它们的电子设备、以及气体阻隔性膜的制造方法在审
| 申请号： | 201780046487.9 | 申请日： | 2017-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN109477202A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 森孝博 | 申请（专利权）人： | 柯尼卡美能达株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;B32B9/00;C23C14/08;C23C16/42 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 苗堃;赵雁 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能够使气体阻隔性膜兼得优异的弯曲性和高温高湿环境下的高水蒸气阻隔性的手段。本发明涉及一种气体阻隔性膜，在厚度方向进行XPS组成分析时得到的原子组成分布曲线中，由M1M2xNy表示组成时，具有满足下述式(1)和下述式(2)的区域(a)。M1M2xNy，0.2≤x≤3.0(1)，0.6≤y≤1.4(2)，x：过渡金属M2与非过渡金属M1原子的存在原子比，y：氮原子与非过渡金属M1原子的存在原子比。 | ||
| 搜索关键词： | 气体阻隔性膜 过渡金属 式( 1 ) 式( 2 ) 原子比 与非 高温高湿环境 水蒸气阻隔性 电子设备 分布曲线 原子组成 氮原子 弯曲性 制造 分析 | ||
【主权项】：
1.一种气体阻隔性膜，在厚度方向进行XPS组成分析时得到的原子组成分布曲线中，由M1M2xNy表示组成时，具有满足下述式(1)和下述式(2)的区域a，M1M2xNy0.2≤x≤3.0 (1)0.6＜y≤1.4 (2)x：过渡金属M2与非过渡金属M1原子的存在原子比，y：氮原子与非过渡金属M1原子的存在原子比。
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