[发明专利]锂离子薄膜微电池及其制造方法在审
| 申请号： | 201780046957.1 | 申请日： | 2017-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN110462889A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 达妮埃莱·佩雷戈;拉贾莫利·奥马姆普利约尔·苏瓦米纳丹;黄家宝;邵阳;蔡维强;卡尔·韦内特·汤普森三世 | 申请（专利权）人： | 麻省理工学院;新加坡国立大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/42;H01M4/02;H01M4/44;H01M4/58;H01M4/38;H01M4/48 |
| 代理公司： | 44414 深圳中一联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李艳丽<国际申请>=PCT/US2017 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 锂离子薄膜微电池、微电池阵列、锂离子薄膜微电池的制造方法和微电池阵列的制造方法。锂离子薄膜微电池包括包含过渡金属氧化物薄膜的无锂阴极；包含锂化的锗或硅薄膜的阳极；以及设于所述阴极与阳极之间的电解质膜；其中，所述锂离子薄膜微电池的锂源由所述锂化的锗或硅薄膜提供。 | ||
| 搜索关键词： | 微电池 锂离子薄膜 阴极 阳极 硅薄膜 锂化 过渡金属氧化物 电解质膜 锂源 薄膜 制造 | ||
【主权项】：
1.一种锂离子薄膜微电池，包括：/n包含过渡金属氧化物薄膜的无锂阴极；/n包含锂化的锗或硅薄膜的阳极；以及/n设于所述阴极与所述阳极之间的电解质膜；/n其中，所述锂离子薄膜微电池的锂源由所述锂化的锗或硅薄膜提供。/n
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