[发明专利]成膜设备及成膜方法在审
| 申请号： | 201780047282.2 | 申请日： | 2017-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN109564955A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 欧建兵 | 申请（专利权）人： | 深圳市柔宇科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C23C14/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518172 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种成膜设备(10)，包括成膜室(11,21)，成膜室(11,21)内设有至少两个材料源(121,122)，至少两个材料源(121,122)用于依次在基板(100)上镀膜；其中，每两个相邻的材料源(121,122)之间具有安全工作距离(D)，且当前一个材料源(121)在基板(100)上镀膜后，后一个材料源(122)在前一个材料源(121)所形成的膜层之上再次镀膜。一种成膜方法，用于在基板(100)上形成膜层。成膜设备及成膜方法能够缩短成膜工艺线，提升生产效率，并降低设备成本。 | ||
| 搜索关键词： | 材料源 成膜设备 成膜 镀膜 基板 成膜室 膜层 安全工作距离 成膜工艺 降低设备 生产效率 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
