[发明专利]二氮杂二烯络合物与胺的反应有效
申请号: | 201780047863.6 | 申请日: | 2017-06-06 |
公开(公告)号: | CN109563621B | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 查尔斯·H·温特;玛丽萨·玛丽·克里根 | 申请(专利权)人: | 韦恩州立大学 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/448;C23C16/18 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟海胜;宋琴芝 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种在基材上形成薄膜的方法,该方法包括使前体化合物与路易斯碱反应的步骤。前体化合物具有过渡金属,并提供一种或多种烷基‑1,3‑二氮杂丁二烯配体。 | ||
搜索关键词: | 二氮杂二烯 络合物 反应 | ||
【主权项】:
1.一种用于在基材的表面上沉积涂层的方法,所述方法包括:a)使所述基材与具有式I的含金属的化合物的蒸气接触,以在所述基材上形成经改性的表面:
或其自由基;其中:M是过渡金属、第1族金属、第2族金属、Zn或Cd;m是整数;n是M的形式电荷;o是使所述具有式I的含金属的化合物的总体形式电荷为0的整数;p是括号内配体的形式电荷;R1是C1‑12烷基、氨基、C6‑18芳基或Si(R3)4;R2、R3各自独立地为H、C1‑10烷基、C6‑18芳基、氨基、C1‑12烷基氨基或C2‑24二烷基氨基;并且R4是H、C1‑10烷基或C1‑18芳基;以及b)使所述经改性的表面与路易斯碱的蒸气接触,以在所述基材的所述表面上形成所述涂层的至少一部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于韦恩州立大学,未经韦恩州立大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201780047863.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:薄膜的形成方法
- 下一篇:匀流板和工艺腔匀气装置
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的