[发明专利]二次电池有效
| 申请号： | 201780047913.0 | 申请日： | 2017-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN109564970B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 工藤拓夫;出羽晴匡;高野光;斋藤友和;殿川孝司 | 申请（专利权）人： | 日本麦可罗尼克斯股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/00 | 分类号： | H01L49/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;钟海胜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的二次电池设置有：第一电极(11)；第二电极(17)；充电层(14)，布置在第一电极(11)和第二电极(17)之间并且含有绝缘材料与第一n型氧化物半导体材料的混合物；n型氧化物半导体层(13)，布置在充电层(14)与第一电极(11)之间并且含有第二n型氧化物半导体材料；p型氧化物半导体层(16)，布置在充电层(14)与第二电极(17)之间并且含有p型氧化物半导体材料；混合物层(15)，布置在充电层(14)与p型氧化物半导体层(16)之间并且含有氧化硅与第三n型氧化物半导体材料的混合物；和导电层(12)，布置在第一电极(11)与n型氧化物半导体层(13)之间并且含有金属材料。 | ||
| 搜索关键词： | 二次 电池 | ||
【主权项】：
1.一种二次电池，包括：第一电极；第二电极；充电层，布置在所述第一电极与所述第二电极之间并且含有绝缘材料与第一n型氧化物半导体材料的混合物；n型氧化物半导体层，布置在所述充电层与所述第一电极之间并且含有第二n型氧化物半导体材料；p型氧化物半导体层，布置在所述充电层与所述第二电极之间并且含有p型氧化物半导体材料；混合物层，布置在所述充电层与所述p型氧化物半导体层之间并且含有氧化硅与第三n型氧化物半导体材料的混合物；和导电层，布置在所述第一电极与所述n型氧化物半导体层之间并且含有金属材料。
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