[发明专利]交换耦合膜以及使用该交换耦合膜的磁阻效应元件及磁检测装置在审
| 申请号： | 201780048178.5 | 申请日： | 2017-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN109716547A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 远藤广明;小池文人;齐藤正路 | 申请（专利权）人： | 阿尔卑斯阿尔派株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G01R33/09;H01F10/12;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘英华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供固定磁性层的磁化的方向反转的磁场(Hex)较大、且高温条件下的稳定性较高的交换耦合膜以及使用该交换耦合膜的磁阻效应元件及磁检测装置。交换耦合膜(10)中，层叠有反铁磁性层(2)和固定磁性层(3)和自由磁性层(5)，反铁磁性层(2)由PtCr层(2A)和XMn层(B)构成，其中，X是Pt或Ir，XMn层(B)与固定磁性层(3)接触。 | ||
| 搜索关键词： | 交换耦合膜 固定磁性层 磁阻效应元件 磁检测装置 反铁磁性层 磁化 自由磁性层 方向反转 高温条件 磁场 | ||
【主权项】：
1.一种交换耦合膜，其特征在于，层叠反铁磁性层和固定磁性层而成，上述反铁磁性层由PtCr层和XMn层构成，其中，X是Pt或Ir，上述XMn层与上述固定磁性层接触。
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