[发明专利]交换耦合膜以及使用该交换耦合膜的磁阻效应元件及磁检测装置有效

专利信息
申请号: 201780048184.0 申请日: 2017-08-02
公开(公告)号: CN109716548B 公开(公告)日: 2022-12-06
发明(设计)人: 齐藤正路;小池文人;远藤广明 申请(专利权)人: 阿尔卑斯阿尔派株式会社
主分类号: H01L43/08 分类号: H01L43/08;G01R33/09;H01F10/12;H01L43/10;H01L43/12
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 刘英华
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的交换耦合膜(10),层叠有反铁磁性层(2)和固定磁性层(3)和自由磁性层(5),反铁磁性层(2)由PtCr层(2A)与XMn层(2B)(其中,X为Pt或Ir)构成,XMn层(2B)与固定磁性层(3)接触,在上述XMn层(2B)层叠于PtCr层(2A)的情况下,PtCr层(2A)为PtαCr100at%-α(α为44at%以上58at%以下),在XMn层(2B)层叠于固定磁性层(3)的情况下,PtCr层(2A)为PtαCr100at%-α(α为44at%以上57at%以下),因此固定磁性层(3)的磁化的方向反转的磁场(Hex)较大,高温条件下的稳定性较高。
搜索关键词: 交换 耦合 以及 使用 磁阻 效应 元件 检测 装置
【主权项】:
1.一种交换耦合膜,层叠反铁磁性层和固定磁性层而成,上述反铁磁性层由PtCr层和XMn层构成,其中,X是Pt或Ir,上述XMn层与上述固定磁性层接触,该交换耦合膜的特征在于,在上述XMn层层叠于上述PtCr层的情况下,上述PtCr层为PtαCr100at%-α,α为44at%以上58at%以下,在上述XMn层层叠于上述固定磁性层的情况下,上述PtCr层为PtαCr100at%-α,α为44at%以上57at%以下。
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