[发明专利]密封涂覆部以防止含Si复合材料的再熔浸渗期间的硅损失有效
| 申请号： | 201780048525.4 | 申请日： | 2017-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN109563003B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | D.G.邓;G.S.科尔曼;J.H.韦弗 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | C04B35/80 | 分类号： | C04B35/80;C04B37/00;C04B35/573;C04B35/63;F01D5/00;F01D5/28;F01D9/04;F01D11/08;F01D25/16;F02K1/82;F02K9/97;F23R3/00;B32B18/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘林华;金飞 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种方法，其包括：获得陶瓷基体复合材料(CMC)，该陶瓷基体复合材料(CMC)带有包括碳化硅和分散于其内的硅相的第一基体部分；将涂层设置于其上以形成密封的部件；以及在其形成包括CMC的另一节段，其可以是包括碳化硅和分散于其内的硅相的另一基体部分。还提供一种燃气涡轮构件，其带有：包括基体部分的CMC节段(210)，该基体部分包括碳化硅和分散于其内的硅相；密封层(230)，其包括包封第一节段(210)的碳化硅；以及密封层(230)上的第二节段(250)，其中第二节段(250)包括具有基体部分的熔融浸渗的CMC，该基体部分包括碳化硅和分散于其内的硅相。 | ||
| 搜索关键词： | 密封 涂覆部 防止 si 复合材料 再熔浸渗 期间 损失 | ||
【主权项】：
1. 一种方法，包括：密封部件，其中所述部件包括第一陶瓷基体复合材料(CMC)，其包括第一基体部分，其中所述第一基体部分包括第一碳化硅和分散于所述第一碳化硅内的第一硅相，并且密封包括将涂层设置于所述部件上以形成密封的部件，以及在所述密封的部件上形成包括第二CMC的节段。
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