[发明专利]半导体装置

摘要

本发明涉及一种半导体装置，具备半导体基板和配设于其上的半导体层，半导体层具有以从与半导体基板相反侧的主面朝向半导体基板延伸至预先决定的深度的方式设置的第一导电类型的第一柱层和第二导电类型的第二柱层，第一柱层和第二柱层在半导体层的活性区域和作为活性区域的周围的区域的终端区域中在与主面平行的方向上交替地设置，与用活性区域中的1组第一柱层和第二柱层的合计宽度规定的柱间距相比，用终端区域中的1组第一柱层和第二柱层的合计宽度规定的柱间距被设定得大，在活性区域和终端区域中都是柱间距内的第一柱层的宽度和第一柱层的第一导电类型的有效的杂质浓度之积等于第二柱层的宽度和第二柱层的第二导电类型的有效的杂质浓度之积。

主权项

1.一种半导体装置，具备：半导体基板；第一导电类型的半导体层，配设于半导体基板上；第二导电类型的第一杂质区域，选择性地配设于所述半导体层的活性区域的上层部；第一导电类型的第二杂质区域，选择性地配设于所述第一杂质区域的上层部；第一主电极，连接于所述第二杂质区域；栅极绝缘膜，以与所述第二杂质区域、所述第一杂质区域以及所述半导体层连续地相接的方式配设；栅极电极，以隔着所述栅极绝缘膜与所述第二杂质区域、所述第一杂质区域以及所述半导体层相向的方式配设；以及第二主电极，配设于所述半导体基板的与所述半导体层相反的一侧，其中，所述半导体层具有设置成从与所述半导体基板相反侧的主面朝向所述半导体基板延伸至预先决定的深度的第一导电类型的第一柱层和第二导电类型的第二柱层，所述第一柱层和所述第二柱层在所述半导体层的所述活性区域和作为所述活性区域的周围的区域的终端区域中在与所述主面平行的方向上交替地设置，所述第一杂质区域设置于所述第二柱层的上层部，与所述栅极绝缘膜相接的所述半导体层是所述第一柱层，被设定成与用所述活性区域中的1组所述第一柱层和所述第二柱层的合计宽度规定的柱间距相比，用所述终端区域中的1组所述第一柱层和所述第二柱层的合计宽度规定的柱间距更大，在所述活性区域和所述终端区域中都是柱间距内的第一导电类型和第二导电类型的杂质的有效的杂质浓度相等。