[发明专利]纳米突起表面形成方法及具有通过该方法形成的纳米突起表面的母材有效
| 申请号： | 201780048666.6 | 申请日： | 2017-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN109564867B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 李相老;金允焕;徐在亨;金技薰;李智英 | 申请（专利权）人： | (株)SEP |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;G03F7/20;G03F1/80;H01L21/02;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所(普通合伙) 11216 | 代理人： | 刘卓然 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及纳米突起形成方法及具有通过该方法形成的纳米突起表面的母材，其特征在于，在不使用纳米掩模(mask)的情况下，通过使用酸溶液的湿式蚀刻工序来形成包括具有数nm～数十nm的宽度的纳米突起的抗反射层和/或包括数十nm～数μm的宽度的突起的防眩光层。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 突起 表面 形成 方法 具有 通过 | ||
【主权项】：
1.一种突起形成方法，在包括玻璃或聚合物薄膜基板在内的母材的表面形成突起，其特征在于，包括通过湿式蚀刻在上述母材的表面形成纳米突起的步骤，但不包括在上述湿式蚀刻之前在母材的表面形成包括掩模在内的选择性抗蚀刻单元的预先步骤以及在上述湿式蚀刻之后去除上述包括掩模在内的选择性抗蚀刻单元的事后去除步骤。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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