[发明专利]磁阻元件和电子设备在审
| 申请号： | 201780050629.9 | 申请日： | 2017-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN109564896A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 苅屋田英嗣 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L21/8239 | 分类号： | H01L21/8239;G11B5/39;H01F10/16;H01F10/32;H01L27/105;H01L29/82;H01L43/08;H01L43/10 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 张雪梅 |
| 地址： | 日本国东*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 磁阻元件10通过层叠下电极31、包括非磁性材料的第一接地层21A、具有垂直磁各向异性的存储层22、中间层23、磁化固定层24和上电极32而形成。存储层22包括磁性材料，该磁性材料在成分中至少包括3d过渡金属元素和硼元素。下电极31和第一接地层21A之间还包括第二接地层21B。第二接地层21B包括在成分中包括构成存储层的元素中的至少一种元素的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 接地层 存储层 磁性材料 磁阻元件 下电极 垂直磁各向异性 过渡金属元素 磁化固定层 非磁性材料 电子设备 硼元素 中间层 电极 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻元件，通过层叠下电极、包括非磁性材料的第一接地层、具有垂直磁各向异性的存储层、中间层、磁化固定层和上电极而形成，其中所述存储层包括磁性材料，该磁性材料在成分中至少包括3d过渡金属元素和硼元素，所述下电极和所述第一接地层之间还包括第二接地层，并且所述第二接地层包括一种材料，该材料在成分中包括构成所述存储层的元素中的至少一种元素。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
