[发明专利]极性流体门控场效应器件有效
| 申请号： | 201780050922.5 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN109642888B | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 拉杰特希·R·古迪班德;萨乌拉博·拉达克里希南;安东尼·加兰德;米特·沃拉 | 申请（专利权）人： | 格拉夫威尔科技公司 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414;H01L29/16 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 贺淑东 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文公开了纳米级场效应晶体管(NFET)，例如基于石墨烯的场效应晶体管(GFET)，其不具有物理栅极。相反，它们由极性流体门控。还公开了使用这种晶体管的系统和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 极性 流体 门控 场效应 器件 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，包括：漏极电极；源极电极；电绝缘衬底；布置在所述衬底上的纳米级材料层，所述纳米级材料层部分地限定一导电且化学敏感的通道，所述纳米级材料层和所述通道在所述漏极电极和所述源极电极之间延伸并且电连接到所述漏极电极和所述源极电极；以及极性流体感应的栅极端子，所述极性流体感应的栅极端子由暴露于所述纳米级材料层的极性流体产生，其中：所述极性流体包括目标分析物；以及所述极性流体具有足以感应极性流体栅极电压的电荷浓度，所述极性流体栅极电压响应于所述目标分析物而根据所述场效应晶体管的通道电流特性来优化栅极电压。
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