[发明专利]三维半导体装置以及其制造方法

摘要

一种三维(3‑D)集成电路(IC)，包括具有基板表面的基板。第一半导体装置具有第一电接点并且在第一平面上形成于所述表面的第一区域中，所述第一平面基本上平行于所述基板表面半导体装置。包括第二电接点的第二半导体装置在第二平面上形成于所述表面的第二区域中，所述第二平面基本上平行于所述表面并且在基本上垂直于所述基板表面的方向上与所述第一平面垂直地间隔开。第一电极结构包括：相对的顶面和底面，所述顶面和所述底面基本上平行于所述基板表面；侧壁，所述侧壁连接所述顶面和所述底面使得所述电极结构形成三维电极空间。导电填充材料提供在所述电极空间中，并且电介质层将所述导电填充材料电分离成电连接到所述第一半导体装置的所述第一接点的第一电极和电连接到所述第二半导体装置并且与所述第一电极电绝缘的第二电极。第一电路端子从所述电极结构的所述顶面或所述底面垂直地延伸并且电连接到所述第一电极。

主权项

1.一种三维(3‑D)集成电路(IC)，所述3‑D集成电路包括基板，所述基板具有基板表面；第一半导体装置，所述第一半导体装置包括第一电接点并且在第一平面上形成于所述表面的第一区域中，所述第一平面基本上平行于所述基板表面半导体装置；第二半导体装置，所述第二半导体装置包括第二电接点并且在第二平面上形成于所述表面的第二区域中，所述第二平面基本上平行于所述表面并且在基本上垂直于所述基板表面的方向上与所述第一平面垂直地间隔开；以及第一电极结构，所述第一电极结构包括：相对的顶面和底面，所述顶面和所述底面基本上平行于所述基板表面，侧壁，所述侧壁连接所述顶面和所述底面，使得所述电极结构形成三维电极空间，导电填充材料，所述导电填充材料提供在所述电极空间中，电介质层，所述电介质层将所述导电填充材料电分离成电连接到所述第一半导体装置的所述第一接点的第一电极和电连接到所述第二半导体装置并且与所述第一电极电绝缘的第二电极；以及第一电路端子，所述第一电路端子从所述电极结构的所述顶面或所述底面垂直地延伸并且电连接到所述第一电极。