[发明专利]采用邻近非对称有源栅极/伪栅极宽度布局的场效应晶体管(FET)器件有效
| 申请号： | 201780051432.7 | 申请日： | 2017-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN109643658B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | Y·S·崔;U·卢;S·埃克博特 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;崔卿虎 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了采用邻近非对称有源栅极/伪栅极宽度布局的场效应晶体管(FET)器件。在示例性方面，提供了一种包括FET器件的FET单元，FET器件具有有源栅极、源极区域和漏极区域。FET单元还包括隔离结构，该隔离结构包括在扩散中断上方邻近源极区域和漏极区域中的一个区域的伪栅极。FET单元具有非对称有源栅极/伪栅极宽度布局，其中有源栅极的宽度大于邻近伪栅极的宽度。有源栅极的增加的宽度提供了增加的栅极控制，并且伪栅极的减小的宽度增加了与伪栅极的隔离，因此减少了通过伪栅极的亚阈值泄漏。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 邻近 对称 有源 栅极 宽度 布局 场效应 晶体管 fet 器件 | ||
【主权项】：
1.一种具有非对称栅极宽度布局的场效应晶体管(FET)单元，包括：衬底，包括具有顶表面的本体；FET器件，包括：源极，设置在所述衬底中；漏极，设置在所述衬底中；以及有源栅极，具有有源栅极宽度并且形成在所述源极与所述漏极之间；以及隔离结构，邻近所述FET器件设置在所述衬底中，所述隔离结构包括：扩散中断，邻近所述FET器件的所述源极和所述漏极中的一个设置在所述衬底中，其中所述源极和所述漏极中的邻近所述扩散中断的一个的深度大于所述源极和所述漏极中的不邻近所述扩散中断的一个的深度；以及伪栅极，具有伪栅极宽度并且邻近所述有源栅极形成在所述扩散中断上方，所述伪栅极宽度比所述有源栅极宽度小栅极宽度余裕。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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