[发明专利]基于掩埋氧化物工艺的可变电容器

摘要

本公开的某些方面提供了一种基于掩埋氧化物工艺的半导体可变电容器。半导体可变电容器总体上包括耦合到第一非绝缘区域的第一导电焊盘和耦合到第二非绝缘区域的第二导电焊盘。第二非绝缘区域可以耦合到半导体区域。电容器还可以包括耦合到第一半导体区域的第一控制区域，使得第一导电焊盘与第二导电焊盘之间的电容被配置为通过改变施加到第一控制区域的控制电压而被调节。电容器还包括设置在半导体区域下方的绝缘体区域，其中第一非绝缘区域的至少一部分通过绝缘体区域与第二非绝缘区域分离，使得第一导电焊盘与第二导电焊盘电隔离。

主权项

1.一种半导体可变电容器，包括：第一导电焊盘，被耦合到第一非绝缘区域；第二导电焊盘，被耦合到第二非绝缘区域，其中所述第二非绝缘区域被耦合到第一半导体区域；第一控制区域，被耦合到所述第一半导体区域，使得所述第一导电焊盘与所述第二导电焊盘之间的电容被配置为通过改变被施加到所述第一控制区域的控制电压而被调节；以及第一绝缘体区域，被设置在所述第一半导体区域下方，其中所述第一非绝缘区域的至少一部分通过所述第一绝缘体区域与所述第二非绝缘区域被分离，使得所述第一导电焊盘与所述第二导电焊盘被电隔离。