[发明专利]硅晶片的评价方法、硅晶片制造工序的评价方法、硅晶片的制造方法以及硅晶片在审
| 申请号： | 201780052617.X | 申请日： | 2017-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN109690746A | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 森敬一朗 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N21/956;G01Q60/24 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 日本东京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种硅晶片的评价方法，其包括：第一判定，利用光散射式表面检查装置检查作为评价对象的硅晶片的表面，判定是否存在异常对象；以及第二判定，利用原子力显微镜观察在作为评价对象的硅晶片的表面中在第一判定中未确认到异常对象存在的区域，判定是否存在异常对象。 | ||
| 搜索关键词： | 硅晶片 判定 异常对象 评价对象 表面检查装置 原子力显微镜 光散射式 制造工序 观察 制造 检查 | ||
【主权项】：
1.一种硅晶片的评价方法，其特征在于，包括：第一判定，利用光散射式表面检查装置检查作为评价对象的硅晶片的表面，判定是否存在异常对象；以及第二判定，利用原子力显微镜观察在作为评价对象的硅晶片的表面中在第一判定中未确认到异常对象存在的区域，判定是否存在异常对象。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于胜高股份有限公司，未经胜高股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780052617.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
