[发明专利]混合式存储器装置在审
申请号: | 201780052714.9 | 申请日: | 2017-08-21 |
公开(公告)号: | CN109643714A | 公开(公告)日: | 2019-04-16 |
发明(设计)人: | K·J·莱恩;K·D·普拉尔;D·V·N·拉马斯瓦米;R·奎因 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明描述用于混合式存储器装置的方法、系统及装置。所述混合式存储器装置可包含单个衬底或裸片上的易失性及非易失性存储器单元。所述非易失性存储器单元可具有铁电电容器,且所述易失性存储器单元的相应逻辑存储组件可具有顺电或线性电介质电容器。在一些实例中,所述易失性存储器单元可用作所述非易失性存储器单元的高速缓冲存储器。或者,所述非易失性存储器单元可用作所述易失性存储器单元的备份。通过将两种类型的单元放置于单个裸片上,而非放置于分离裸片上,各种性能度量可改进,包含与电力消耗及操作速度有关的那些度量。 | ||
搜索关键词: | 非易失性存储器单元 易失性存储器单元 存储器装置 裸片 可用 高速缓冲存储器 电介质电容器 铁电电容器 系统及装置 单元放置 电力消耗 逻辑存储 性能度量 易失性 备份 衬底 度量 改进 | ||
【主权项】:
1.一种存储器设备,其包括:衬底;第一存储器单元,其形成于定位于所述衬底上的第一凹槽中,且所述第一存储器单元包括第一类型电容器;及第二存储器单元,其形成于定位于所述衬底上的第二凹槽中,所述第二存储器单元包括不同于所述第一类型电容器的第二类型电容器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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