[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201780052784.4 | 申请日： | 2017-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN109661728A | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 内田光亮;日吉透;酒井光彦 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/417 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 第一主表面设置有：栅极沟槽，所述栅极沟槽由第一侧表面和第一底表面限定；以及源极沟槽，所述源极沟槽由第二侧表面和第二底表面限定。碳化硅衬底包括漂移区、主体区、源极区、第一区和第二区。所述第一区与所述第二区接触。栅极绝缘膜在所述第一侧表面处与所述漂移区、所述主体区和所述源极区接触，并且在所述第一底表面处与所述漂移区接触。源极电极在所述第二侧表面和所述第二底表面处与所述第二区接触。 | ||
| 搜索关键词： | 侧表面 漂移区 表面限定 源极沟槽 栅极沟槽 表面处 第一区 主体区 碳化硅半导体装置 源极区接触 栅极绝缘膜 源极电极 碳化硅 源极区 主表面 衬底 制造 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅半导体装置，包括：碳化硅衬底，所述碳化硅衬底具有第一主表面和与所述第一主表面相反的第二主表面；栅极绝缘膜；以及源极电极，其中栅极沟槽和源极沟槽设置在所述第一主表面中，所述栅极沟槽由连续到所述第一主表面的第一侧表面和连续到所述第一侧表面的第一底表面限定，所述源极沟槽由连续到所述第一主表面的第二侧表面和连续到所述第二侧表面的第二底表面限定，所述碳化硅衬底包括：漂移区，所述漂移区具有第一导电型，主体区，所述主体区设置在所述漂移区上并且具有不同于所述第一导电型的第二导电型，源极区，所述源极区在所述主体区上，所述源极区通过所述主体区与所述漂移区分隔开，所述源极区具有所述第一导电型，第一区，所述第一区在所述第二底表面与所述第二主表面之间，所述第一区具有所述第二导电型，以及第二区，所述第二区与所述第一区接触，所述第二区构成所述第二侧表面的至少一部分和所述第二底表面，所述第二区具有所述第二导电型，所述栅极绝缘膜在所述第一侧表面处与所述漂移区、所述主体区和所述源极区接触，并且所述栅极绝缘膜在所述第一底表面处与所述漂移区接触，以及所述源极电极在所述第二侧表面和所述第二底表面处与所述第二区接触。
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