[发明专利]距离传感器及距离图像传感器有效
申请号: | 201780052894.0 | 申请日: | 2017-05-30 |
公开(公告)号: | CN109690777B | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
发明(设计)人: | 间瀬光人;平光纯;岛田明洋 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H04N25/70;H04N25/76;G01S7/481;G01S17/894;H01L27/146 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 距离传感器具备硅基板和传送电极。硅基板具备相互相对的第一主面和第二主面。在硅基板的第一主面侧设置有根据入射光产生电荷的电荷产生区域和收集来自电荷产生区域的电荷的电荷收集区域。传送电极在第一主面上配置于电荷产生区域和电荷收集区域之间。传送电极根据输入的信号使电荷从电荷产生区域流入电荷收集区域。在第二主面的至少与电荷产生区域对应的区域形成有多个凸部。多个凸部具有相对于硅基板的厚度方向倾斜的斜面。在凸部中硅基板的(111)面作为斜面露出。凸部的高度为200nm以上。 | ||
搜索关键词: | 距离 传感器 图像传感器 | ||
【主权项】:
1.一种距离传感器,其特征在于,具备:硅基板,其具有相互相对的第一主面和第二主面,并且在所述第一主面侧设置有根据入射光产生电荷的电荷产生区域和收集来自所述电荷产生区域的电荷的电荷收集区域;及传送电极,其在所述第一主面上,配置于所述电荷产生区域和所述电荷收集区域之间,根据输入的信号使电荷从所述电荷产生区域流入所述电荷收集区域,在所述第二主面的至少与所述电荷产生区域对应的区域形成有具有相对于所述硅基板的厚度方向倾斜的斜面的多个凸部,在所述凸部中,所述硅基板的(111)面作为所述斜面露出,所述凸部的高度为200nm以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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