[发明专利]包括跨越键合界面的电荷输送的电磁辐射检测器

摘要

提供了用于以高频谱和空间分辨率对电磁辐射进行检测和成像的单片CMOS集成像素检测器(10，20，30，260，470，570)以及系统和方法。这样的检测器包括Si晶片，所述Si晶片具有在导电共价晶片键合中被键合到吸收体晶片的CMOS处理的读出晶片。所述像素检测器、系统和方法被使用在各种医疗和非医疗类型的应用中。

主权项

1.一种用于检测电磁辐射的单片CMOS集成像素检测器(10，20，30，260，470，570)，包括：a、具有被掺杂成具有第一导电类型的至少一层(127，167，217，417，517)的硅读出晶片(11，21，31，41，120，130，165，215，415，515)，该层包括CMOS处理的读出电子装置；b、用于被掺杂成具有第一导电类型的电荷收集器(15，25，35，45，123，223，423，523)的植入物，所述植入物与读出电子装置进行通信并且定义检测器像素；c、由包括至少第二导电类型和金属背面接触件(19，29，39，49，262，472，572)的材料制成的吸收体晶片(16，26，36，46，220，481，541’)；以及d、与外部印刷电路板进行通信的接触衬垫(124，254，464，564)，其中，硅晶片和吸收体晶片被共价键合从而形成一个单片单元；所述单片单元包括由第一导电类型的一层和第二导电类型的一层形成的p‑n结；电荷收集器被布置成接收跨过键合界面的电荷；并且所登记的电荷由处理器进行处理以通常用于诊断目的。