[发明专利]模拟数字接口SRAM结构有效

专利信息
申请号: 201780053154.9 申请日: 2017-07-04
公开(公告)号: CN109791787B 公开(公告)日: 2023-08-18
发明(设计)人: 金昌贤;朴俊荣 申请(专利权)人: 智芯(广东)半导体智能科技有限公司
主分类号: G11C11/419 分类号: G11C11/419;G11C11/413;G11C7/16;G11C8/10
代理公司: 西安毅联专利代理有限公司 61225 代理人: 张为攀
地址: 518000 广东省深圳市南山区粤海街道高*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明是在已存SRAM的IO回路和位线构造基础上,改进了开关的构造而使储存的数字数据解读成模拟数据,并可以把模拟数据变换成数字数据而储存的模拟数字接口SRAM结构,为了能够各自选择竖向本地存储单元而存在的一侧的位线和对侧的位线进行均匀分配的位元开关在位线上形成的存储单元数组,一边选择横向本地存储单元,同时选择竖向复数的本地存储单元,能够进行多重访问的多重译码器和把从外部输入的模拟数据变换成数字数据并且使之存储在本地存储单元,把在本地存储单元储存的数字数据变换成模拟数据且构成使之能够输出到外部的输入输出回路。根据本发明即使没有DAC和ADC,模拟数据也能在SRAM上使用或者解读,可以减少根据变换过程而消耗的能量。
搜索关键词: 模拟 数字 接口 sram 结构
【主权项】:
1.模拟数字接口SRAM结构,其特征在于,使从外部输入的模拟数据转换成为数字数据并在本地存储单元中储存,或者使在本地存储单元中储存的数字数据转换成为模拟数据,在没有被分离的其它的模拟数字转换器或者数字模拟转换器,将模拟数据作为数字数据来储存或者数字数据能够通过模拟数据来解读,通过多重译码器以及操控位线的位元开关,使本地存储单元按照顺序地被分成2的n次方的比率。
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