[发明专利]用于将芯片接合至基底的方法和系统有效
申请号: | 201780053265.X | 申请日: | 2017-07-25 |
公开(公告)号: | CN109690758B | 公开(公告)日: | 2023-06-13 |
发明(设计)人: | 加里·阿鲁季诺夫;埃德斯格·康斯坦特·彼得·斯米茨;耶伦·万登布兰德 | 申请(专利权)人: | 荷兰应用自然科学研究组织TNO |
主分类号: | H01L23/00 | 分类号: | H01L23/00;B23K1/00;B23K1/005;H05K3/34 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有;苏虹 |
地址: | 荷兰*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种方法和系统,用于通过设置在芯片与基底之间的热接合材料将芯片热接合至基底。将至少基底从初始温度预热至低于基底的损坏温度的升高的温度。向芯片施加的光脉冲将芯片温度瞬间升高至低于芯片的峰值损坏温度的脉冲峰值温度。芯片的瞬间升高的脉冲峰值温度引起从芯片至接合材料的传导热的流,引起接合材料形成接合。 | ||
搜索关键词: | 用于 芯片 接合 基底 方法 系统 | ||
【主权项】:
1.一种用于通过设置在芯片与基底之间的热接合材料将所述芯片接合至所述基底的方法,其中所述热接合材料具有在其温度被升高至接合温度时使其形成接合的材料特性,所述方法包括:将至少所述基底从初始温度预热至升高的温度,所述升高的温度保持低于所述基底的损坏温度;以及通过闪光灯向所述芯片施加光脉冲以将所述芯片的温度瞬间升高至脉冲峰值温度,所述脉冲峰值温度保持低于所述芯片的峰值损坏温度;以及其中所述芯片的瞬间升高的脉冲峰值温度引起从所述芯片至所述接合材料的传导热的流,其中所述传导热使所述接合材料达到所述接合温度以在所述芯片与所述基底之间形成接合,其中,从所述芯片至所述基底的传导热的流引起所述基底的脉冲加热,其中所述芯片和/或基底的温度分别保持高于所述芯片和/或基底的损坏温度持续小于100毫秒。
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