[发明专利]堆叠式背面照明SPAD阵列有效
申请号: | 201780053272.X | 申请日: | 2017-09-22 |
公开(公告)号: | CN109716525B | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 万代新悟;C·L·尼克拉斯;N·卡拉萨瓦;范晓峰;A·拉弗莱奎尔;G·A·阿格拉诺弗 | 申请(专利权)人: | 苹果公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 边海梅 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了背照式单光子雪崩二极管SPAD图像传感器,其包括垂直堆叠在电路晶圆上方的传感器晶圆。传感器晶圆包括一个或多个SPAD区域,其中每个SPAD区域(400)包括阳极梯度层(402)、定位成与SPAD区域的前表面相邻的阴极区域(404)、以及定位在阴极区域之上的阳极雪崩层(408)。每个SPAD区域通过晶圆间连接器连接到电路晶圆中的电压源和输出电路。深沟槽隔离元件424用于在SPAD区域之间提供电隔离和光隔离。 | ||
搜索关键词: | 堆叠 背面 照明 spad 阵列 | ||
【主权项】:
1.一种背照式单光子雪崩二极管SPAD图像传感器,包括:传感器晶圆,所述传感器晶圆包括:SPAD区域,所述SPAD区域包括:阳极梯度层,所述阳极梯度层包含第一掺杂物类型;阴极区域,所述阴极区域定位成与所述SPAD区域的前表面相邻并包含第二掺杂物类型;和阳极雪崩层,所述阳极雪崩层定位在所述阴极区域之上并包含所述第一掺杂物类型;其中:所述阴极区域具有第一面积,并且所述阳极雪崩层具有小于所述第一面积的第二面积;并且所述阳极梯度层中的所述第一掺杂物类型的掺杂物浓度在所述传感器晶圆的后表面较高并在所述阳极梯度层的前表面较低,以在所述阳极梯度层中产生掺杂物浓度梯度,所述掺杂物浓度梯度引导光子生成的电荷载子穿过所述阳极梯度层到达所述阳极雪崩层;和电路晶圆,所述电路晶圆定位在所述传感器晶圆下方并附接到所述传感器晶圆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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