[发明专利]化合物半导体及其制造方法以及氮化物半导体有效
| 申请号： | 201780053614.8 | 申请日： | 2017-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN109643645B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 藤冈洋;上野耕平 | 申请（专利权）人： | 国立研究开发法人科学技术振兴机构 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;C23C14/06;C23C14/34;H01L21/203;H01L21/338;H01L29/778;H01L29/786;H01L29/812;H01L33/32;H01S5/042;H01S5/183;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人： | 石伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明的化合物半导体具有5×10 |
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| 搜索关键词： | 化合物 半导体 及其 制造 方法 以及 氮化物 | ||
【主权项】：
1.一种化合物半导体，其是含有氮和从由作为13族元素的B、Al、Ga或In所构成的群组中所选择的一种元素的二元系、三元系或四元系化合物半导体，含有1×1017cm‑3以上的氧作为杂质，具有5×1019cm‑3以上的电子浓度，为N型导电性，且电子迁移率为46cm2/V·s以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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