[发明专利]半导体层序列有效
| 申请号： | 201780053822.8 | 申请日： | 2017-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN109690793B | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 维尔纳·贝格鲍尔;约阿希姆·赫特功 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/04;H01L33/14;H01L33/00;H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;蒋静静 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一个实施方式中，半导体层序列基于AlInGaN并且设置用于光电子半导体芯片并且以所提出的顺序从n型传导的n型侧起观察具有如下层：‑由AlGaN构成的前势垒层，‑由InGaN构成的、具有第一带隙的前量子阱，所述前量子阱不设计用于产生辐射，‑多量子阱结构，所述多量子阱结构具有多个交替的主量子阱和主势垒层，所述主量子阱具有第二带隙，由InGaN构成，所述主势垒层由AlGaN或AlInGaN构成，其中第二带隙大于第一带隙，并且主量子阱设计用于产生如下辐射，所述辐射具有在365nm和490nm之间的最大强度的波长，其中包括边界值，和‑由AlGaN构成的电子阻挡层，其中前势垒层的铝含量和厚度的乘积是主势垒层的铝含量和厚度的乘积的至少1.3倍。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 序列 | ||
【主权项】：
1.一种基于用于光电子半导体芯片(1)的AlInGaN的半导体层序列(2)，所述半导体层序列从n型侧(20)起按所列出的顺序具有如下层：‑由AlGaN构成的前势垒层(21)，‑由InGaN构成的、具有第一带隙的前量子阱(23)，‑多量子阱结构(3)，所述多量子阱结构具有多个交替的主量子肼(32)和主势垒层(31)，所述主量子肼由InGaN构成，具有第二带隙，所述主势垒层由AlGaN或AlInGaN构成，其中所述第二带隙小于所述第一带隙，并且所述主量子阱(32)设计用于产生如下辐射，所述辐射的最大强度的波长在365nm和490nm之间，其中包括边界值，和‑由AlGaN构成的电子阻挡层(29)，其中所述前势垒层(21)的铝含量和厚度的乘积是所述主势垒层(31)的铝含量和厚度的乘积的至少1.3倍。
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