[发明专利]基于碳化硅的晶体管以及制造该晶体管的方法有效
| 申请号： | 201780053843.X | 申请日： | 2017-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN109643689B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 金光沫;裴东佑 | 申请（专利权）人： | 西江大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L29/16;H01L27/092;H01L29/24 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 赵彤;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种晶体管，所述晶体管包括：基板；第一类型阱与第二类型阱，所述第一类型阱与所述第二类型阱在所述基板上彼此接触；以及击穿电压改善区，所述击穿电压改善区形成根据各个类型的垂直高浓度掺杂区，从而在所述第一类型阱与所述第二类型阱的相互接触的部分处从所述第一类型阱与所述第二类型阱的上表面垂直接触到所述基板的上表面垂直接触。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 碳化硅 晶体管 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，所述晶体管包括：基板；第一类型阱与第二类型阱，所述第一类型阱与所述第二类型阱在所述基板上彼此接触；以及击穿电压改善区，所述击穿电压改善区包括在所述第一类型阱与所述第二类型阱彼此接触的部分中从所述第一类型阱与所述第二类型阱的上表面垂直接触到所述基板的上表面的根据第一类型与第二类型的垂直高浓度掺杂区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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